For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

MOSFETs TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET Vishay General Semiconductor IRFIBE20GPBF

Width: 4.7 mm

Height: 15.49 mm

Length: 10.41 mm

Technology: Si

Unit Weight: 2 g

Channel Mode: Enhancement

REACH - SVHC: Details

Configuration: Single

Mounting Style: Through Hole

Qg - Gate Charge: 38 nC

Number of Channels: 1 Channel

Transistor Polarity: N-Channel

Pd - Power Dissipation: 30 W

Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V

Id - Continuous Drain Current: 1.4 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Rds On - Drain-Source Resistance: 6.5 Ohms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi