For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

IGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT onsemi FGH75T65SQDT-F155

Technology: Si

Unit Weight: 12.203 g

REACH - SVHC: Details

Configuration: Single

Mounting Style: Through Hole

Pd - Power Dissipation: 375 W

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V

Maximum Operating Temperature: + 175 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V

Continuous Collector Current at 25 C: 150 A

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi